APTGT75DA120T1G

IGBT 1200V 110A 357W SP1
APTGT75DA120T1G P1
APTGT75DA120T1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT75DA120T1G

номер части
APTGT75DA120T1G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1200V 110A 357W SP1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
APTGT75DA120T1G.pdf APTGT75DA120T1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT75DA120T1G
Статус детали Obsolete
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 110A
Мощность - макс. 357W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP1
Пакет устройств поставщика SP1

сопутствующие товары

Все продукты