APT35GN120L2DQ2G

IGBT 1200V 94A 379W TO264
APT35GN120L2DQ2G P1
APT35GN120L2DQ2G P2
APT35GN120L2DQ2G P1
APT35GN120L2DQ2G P2
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Microsemi Corporation ~ APT35GN120L2DQ2G

Numéro d'article
APT35GN120L2DQ2G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1200V 94A 379W TO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT35GN120L2DQ2G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article APT35GN120L2DQ2G
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT, Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 94A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
Puissance - Max 379W
Échange d'énergie 2.315mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 220nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 24ns/300ns
Condition de test 800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA
Package de périphérique fournisseur -

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