APT35GP120J

IGBT 1200V 64A 284W SOT227
APT35GP120J P1
APT35GP120J P2
APT35GP120J P1
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Microsemi Corporation ~ APT35GP120J

Numéro d'article
APT35GP120J
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT35GP120J PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APT35GP120J
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 64A
Puissance - Max 284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.24nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas ISOTOP
Package de périphérique fournisseur ISOTOP®

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