2N1724A

POWER BJT
2N1724A P1
2N1724A P1
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Microsemi Corporation ~ 2N1724A

Numéro d'article
2N1724A
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER BJT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 2N1724A PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article 2N1724A
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 5A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2A, 15V
Puissance - Max 3W
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Stud Mount
Paquet / cas TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Package de périphérique fournisseur TO-61

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