2N1724A

POWER BJT
2N1724A P1
2N1724A P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ 2N1724A

Artikelnummer
2N1724A
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
POWER BJT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2N1724A
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 2A, 15V
Leistung max 3W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Stud Mount
Paket / Fall TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Lieferantengerätepaket TO-61

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