1N6625E3

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
1N6625E3 P1
1N6625E3 P1
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Microsemi Corporation ~ 1N6625E3

Numéro d'article
1N6625E3
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article 1N6625E3
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1100V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.95V @ 1.5A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 80ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Through Hole
Paquet / cas A, Axial
Package de périphérique fournisseur A, Axial
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 150°C

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