1N6625E3

DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
1N6625E3 P1
1N6625E3 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ 1N6625E3

Artikelnummer
1N6625E3
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 1N6625E3
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.95V @ 1.5A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 80ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall A, Axial
Lieferantengerätepaket A, Axial
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 150°C

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