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| Numéro d'article | 10A01-TP |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 10A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 10A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | R6, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | R-6 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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10A01-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 10A R6 | - | 500 | Détails |
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10A01-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V R-6 | - | 0 | Détails |
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10A015 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2 | - | 0 | Détails |
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10A02-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 10A R6 | - | 15457 | Détails |
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10A030 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2 | - | 0 | Détails |
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10A04-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 10A R6 | - | 18500 | Détails |
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10A05-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 10A R6 | - | 3500 | Détails |
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10A06-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 10A R6 | - | 0 | Détails |
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10A060 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 | - | 0 | Détails |
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10A07-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 10A R6 | - | 89500 | Détails |
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10AS016C3U19E2LG | Altera | IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA | - | 0 | Détails |
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10AS016C3U19E2SG | Altera | IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA | - | 0 | Détails |