Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 10A01-TP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | R6, Axial |
| Lieferantengerätepaket | R-6 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
10A01-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 10A R6 | - | 500 | Einzelheiten |
|
10A01-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V R-6 | - | 0 | Einzelheiten |
|
10A015 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
10A02-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 10A R6 | - | 15457 | Einzelheiten |
|
10A030 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
10A04-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 10A R6 | - | 18500 | Einzelheiten |
 |
10A05-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 10A R6 | - | 3500 | Einzelheiten |
 |
10A06-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 800V 10A R6 | - | 0 | Einzelheiten |
|
10A060 | Microsemi Corporation | TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
10A07-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 10A R6 | - | 89500 | Einzelheiten |
 |
10AS016C3U19E2LG | Altera | IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA | - | 0 | Einzelheiten |
|
10AS016C3U19E2SG | Altera | IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA | - | 0 | Einzelheiten |