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| Numéro d'article | VWM200-01P |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 210A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | V2-PAK |
| Package de périphérique fournisseur | V2-PAK |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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VWM200-01P | IXYS | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 | 0 | Détails | |
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VWM270-0075X2 | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK | - | 0 | Détails |