IXFA8N85XHV

MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
IXFA8N85XHV P1
IXFA8N85XHV P1
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IXYS ~ IXFA8N85XHV

Numéro d'article
IXFA8N85XHV
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXFA8N85XHV
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 850V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 654pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263HV
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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