IXFA8N85XHV

MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
IXFA8N85XHV P1
IXFA8N85XHV P1
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IXYS ~ IXFA8N85XHV

Artikelnummer
IXFA8N85XHV
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFA8N85XHV
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 850V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 654pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263HV
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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