IPU50R950CEBKMA1

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
IPU50R950CEBKMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPU50R950CEBKMA1

Numéro d'article
IPU50R950CEBKMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IPU50R950CEBKMA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IPU50R950CEBKMA1
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 231pF @ 100V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 34W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO251-3
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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