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Numéro d'article | IPU50R3K0CEBKMA1 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 18W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / cas | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |