FDMS3615S

MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
FDMS3615S P1
FDMS3615S P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS3615S

Numéro d'article
FDMS3615S
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMS3615S
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 13V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur Power56

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