FDMS3615S

MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
FDMS3615S P1
FDMS3615S P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS3615S

Artikelnummer
FDMS3615S
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDMS3615S
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A, 18A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 13V
Leistung max 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket Power56

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