FDMJ1027P

MOSFET P-CH 20V 3.2A
FDMJ1027P P1
FDMJ1027P P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMJ1027P

Numéro d'article
FDMJ1027P
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 20V 3.2A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FDMJ1027P PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article FDMJ1027P
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-MicroFET (2x2)
Paquet / cas 6-VDFN Exposed Pad

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