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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDMJ1027P |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-MicroFET (2x2) |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FDM100-0045SP | IXYS | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 | 0 | Einzelheiten | |
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FDM15-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDM21-05QC | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 | 0 | Einzelheiten | |
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FDM2509NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP | 0 | Einzelheiten | |
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FDM3300NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET | 0 | Einzelheiten | |
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FDM3622 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | - | 3000 | Einzelheiten |
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FDM47-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5 | - | 0 | Einzelheiten |
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FDM606P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET | 0 | Einzelheiten | |
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FDM6296 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33 | 0 | Einzelheiten | |
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FDMA008P20LZ | Fairchild/ON Semiconductor | PT8PZ 20/8V VIS WITH 2.05X2.05 P | - | 0 | Einzelheiten |
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FDMA0104 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 9.4A MICROFET | - | 10268 | Einzelheiten |
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FDMA037N08LC | ON Semiconductor | FET 80V 3.7 MOHM MLP33 | - | 101365 | Einzelheiten |