FDC8602

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
FDC8602 P1
FDC8602 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC8602

Numéro d'article
FDC8602
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDC8602
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 50V
Puissance - Max 690mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur SuperSOT™-6

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