FDC8602

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
FDC8602 P1
FDC8602 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC8602

Artikelnummer
FDC8602
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDC8602
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 50V
Leistung max 690mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6

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