ZXMN6A10N8TA

MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
ZXMN6A10N8TA P1
ZXMN6A10N8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMN6A10N8TA

Numéro d'article
ZXMN6A10N8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- ZXMN6A10N8TA PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article ZXMN6A10N8TA
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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