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| Numéro d'article | ZXMN10A08DN8TA |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Puissance - Max | 1.25W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOP |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | - | 5000 | Détails |
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ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | - | 0 | Détails |
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ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | - | 0 | Détails |
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ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | - | 0 | Détails |
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ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | - | 106000 | Détails |
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