DMN3190LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
DMN3190LDW-13 P1
DMN3190LDW-13 P2
DMN3190LDW-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN3190LDW-13

Numéro d'article
DMN3190LDW-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN3190LDW-13 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMN3190LDW-13
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
Puissance - Max 320mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363

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