DMN3190LDW-13

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
DMN3190LDW-13 P1
DMN3190LDW-13 P2
DMN3190LDW-13 P1
DMN3190LDW-13 P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN3190LDW-13

Artikelnummer
DMN3190LDW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMN3190LDW-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
Leistung max 320mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363

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