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| Número de pieza | VS-ETH0806-M3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 8A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.65V @ 8A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 21ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 12µA @ 600V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-220-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B | - | 15 | Detalles |
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VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | - | 9 | Detalles |
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VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | - | 15 | Detalles |
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VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | - | 940 | Detalles |
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VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | - | 994 | Detalles |
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VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A TO-262 | - | 0 | Detalles |
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VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | - | 573 | Detalles |
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VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | - | 990 | Detalles |
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VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | - | 590 | Detalles |
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VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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VS-ETH1506STRL-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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VS-ETH1506STRLHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | Detalles |