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| Número de pieza | SI4933DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 1.1W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4931DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC | - | 32500 | Detalles |
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SI4931DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC | - | 12500 | Detalles |
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SI4932DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI4933DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI4933DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI4936ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC | - | 2500 | Detalles |
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SI4936ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI4936BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | - | 25000 | Detalles |
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SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI4936CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO | - | 0 | Detalles |
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SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |