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Número de pieza | SI4931DY-T1-E3 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 350µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potencia - Max | 1.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |