TK20J60U(F)

MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
TK20J60U(F) P1
TK20J60U(F) P2
TK20J60U(F) P3
TK20J60U(F) P1
TK20J60U(F) P2
TK20J60U(F) P3
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK20J60U(F)

Número de pieza
TK20J60U(F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TK20J60U(F) PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TK20J60U(F)
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-3P(N)
Paquete / caja TO-3P-3, SC-65-3

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