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| Número de pieza | TK20A60U(Q,M) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220SIS |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TK20A25D,S5Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS | - | 0 | Detalles |
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TK20A60U(Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS | - | 400 | Detalles |
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TK20A60W,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS | - | 444 | Detalles |
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TK20A60W5,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | - | 132 | Detalles |