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| Número de pieza | TSM650P03CX RFG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.56W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23 |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN | - | 245517 | Detalles |
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TSM650N15CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN | - | 130674 | Detalles |
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TSM650N15CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP | - | 139717 | Detalles |
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TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 | - | 682630 | Detalles |
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TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 | - | 713235 | Detalles |