TSM650N15CR RLG

MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
TSM650N15CR RLG P1
TSM650N15CR RLG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM650N15CR RLG

Número de pieza
TSM650N15CR RLG
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TSM650N15CR RLG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1829pF @ 75V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-PDFN (5x6)
Paquete / caja 8-PowerTDFN

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