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Número de pieza | PHU11NQ10T,127 |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14.7nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 57.7W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | I-Pak |
Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |