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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PHU11NQ10T,127 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.7nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 57.7W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I-Pak |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |