JANS1N5806US

DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
JANS1N5806US P1
JANS1N5806US P1
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Microsemi Corporation ~ JANS1N5806US

Número de pieza
JANS1N5806US
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- JANS1N5806US PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza JANS1N5806US
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Corriente - promedio rectificado (Io) 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 875mV @ 1A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 25ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 150V
Capacitancia @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SQ-MELF, A
Paquete de dispositivo del proveedor D-5A
Temperatura de funcionamiento - unión -65°C ~ 175°C

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