JANS1N3595US

DIODE GEN PURP 200MA DO35
JANS1N3595US P1
JANS1N3595US P1
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Microsemi Corporation ~ JANS1N3595US

Número de pieza
JANS1N3595US
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 200MA DO35
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- JANS1N3595US PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza JANS1N3595US
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) -
Corriente - promedio rectificado (Io) 200mA (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1V @ 200mA
Velocidad Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inversa (trr) 3µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 1nA @ 125V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SQ-MELF, B
Paquete de dispositivo del proveedor B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamiento - unión -65°C ~ 150°C

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