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| Número de pieza | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH, RAM |
| Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Frecuencia de reloj | 533MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.8V |
| Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | - | 0 | Detalles |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | - | 0 | Detalles |
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MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | - | 0 | Detalles |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 7985 | Detalles |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 8330 | Detalles |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH | - | 0 | Detalles |
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH | - | 0 | Detalles |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA | - | 0 | Detalles |
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | - | 0 | Detalles |