MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

IC FLASH 6G DDR2
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR P1
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR P1
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Micron Technology Inc. ~ MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

Artikelnummer
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Beschreibung
IC FLASH 6G DDR2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR PDF online browsing
Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH, RAM
Technologie FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Speichergröße 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Taktfrequenz 533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.8V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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