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| Número de pieza | IRF7406PBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.8A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF710 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB | - | 0 | Detalles |
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IRF7101PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7101TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 4000 | Detalles | |
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IRF7102 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7103PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 5991 | Detalles | |
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IRF7103Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7103QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 12000 | Detalles | |
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IRF7104PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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IRF7105PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 1060 | Detalles | |
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IRF7105QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 0 | Detalles |