IRF7104PBF

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
IRF7104PBF P1
IRF7104PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7104PBF

Número de pieza
IRF7104PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF7104PBF.pdf IRF7104PBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza IRF7104PBF
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V
Potencia - Max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO

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