IRF7389PBF

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IRF7389PBF P1
IRF7389PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7389PBF

Número de pieza
IRF7389PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF7389PBF.pdf IRF7389PBF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza IRF7389PBF
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Potencia - Max 2.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO

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