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Número de pieza | IRF6662TR1PBF |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8.2A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ MZ |
Paquete / caja | DirectFET™ Isometric MZ |