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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IRF6662TR1PBF |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8.2A, 10V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MZ |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MZ |