IRD3CH53DB6

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
IRD3CH53DB6 P1
IRD3CH53DB6 P1
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Infineon Technologies ~ IRD3CH53DB6

Número de pieza
IRD3CH53DB6
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza IRD3CH53DB6
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corriente - promedio rectificado (Io) 100A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 2.7V @ 100A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 270ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 2µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja Die
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Temperatura de funcionamiento - unión -40°C ~ 150°C

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