IRD3CH53DB6

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
IRD3CH53DB6 P1
IRD3CH53DB6 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IRD3CH53DB6

Artikelnummer
IRD3CH53DB6
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRD3CH53DB6.pdf IRD3CH53DB6 PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer IRD3CH53DB6
Teilstatus Obsolete
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.7V @ 100A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 270ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 2µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
Betriebstemperatur - Kreuzung -40°C ~ 150°C

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