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Número de pieza | IPP65R190E6XKSA1 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 151W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO-220-3 |
Paquete / caja | TO-220-3 |