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Número de pieza | IPI80N04S3H4AKSA1 |
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Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 65µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 115W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 80A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |