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| Número de pieza | IPI80N04S303AKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 80A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPI80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI80N03S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI80N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI80N04S204AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | 0 | Detalles | |
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IPI80N04S2H4AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI80N04S2H4AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | 0 | Detalles | |
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IPI80N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI80N04S304AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI80N04S306AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI80N04S3H4AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | - | 0 | Detalles |
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IPI80N04S403AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 | - | 400 | Detalles |
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IPI80N04S404AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 | - | 0 | Detalles |