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| Número de pieza | IPI65R190C6XKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.2A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 151W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO262-3 |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPI65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO-262 | - | 475 | Detalles |
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IPI65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262 | - | 0 | Detalles |
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IPI65R190CFDXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 32496 | Detalles |
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IPI65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262 | 0 | Detalles | |
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IPI65R600C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262 | - | 0 | Detalles |