IPI65R110CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
IPI65R110CFDXKSA1 P1
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IPI65R110CFDXKSA1 P3
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Infineon Technologies ~ IPI65R110CFDXKSA1

Número de pieza
IPI65R110CFDXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IPI65R110CFDXKSA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPI65R110CFDXKSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 31.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 277.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO262-3
Paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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