FF900R12IP4DVBOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 900A
FF900R12IP4DVBOSA1 P1
FF900R12IP4DVBOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FF900R12IP4DVBOSA1

Número de pieza
FF900R12IP4DVBOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT MODULE VCES 1200V 900A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza FF900R12IP4DVBOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración 2 Independent
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 900A
Potencia - Max 5100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
Corriente - corte de colector (máximo) 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module

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